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一、基本情况:朱慧,女,博士,讲师,硕士生导师。 2003年毕业于中国矿业大学(北京)材料科学与工程系,获得学士学位。同年赴英国剑桥大学学习,2004年毕业于材料与冶金系,获得硕士学位,2010年毕业于工程系,获得电子工程专业博士学位。2011年至今在北京工业大学电子信息与控制工程学院工作。
二、主要研究方向:铁电薄膜及铁电随机存储器,微电子器件可靠性物理。
三、科研项目:GaN HEMT中的残余应力以及应力对器件性能的影响,北京市自然科学基金项目负责人;星载高热流组件散热分析及可靠性影响分析,总装备部项目子项目参与人。
四、代表性科研论文: H. Zhu, and D. P. Chu, A study of capacitance voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, J. Phys.: Condens. Matt. 23, 495901 (2011). H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, S. E. Rowley, and S. S. Saxena, Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, J. Appl. Phys. 105, 061609 (2009). H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, I, Pane, J. E. Huber, E. Natori, Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integr. Ferroelectr. 95, 117-127 (2007).
五、联系方式:电话:010-67396955 E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn 地址:北京市朝阳区平乐园100号 北京工业大学电子信息与控制工程学院(邮编100124)
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