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郝智彪博士,教授
通讯地址:北京市海淀区清华大学电子工程系100084
办公室位置:电子工程馆2-305
电话:+86-10-6279-8240,传真:+86-10-6278-4900
电子邮箱:zbhao@tsinghua.edu.cn
教育背景1996年9月~2001年11月,清华大学电子工程系物理电子学专业,工学博士
1991年9月~1996年7月,清华大学电子工程系物理电子与光电子技术专业,学士
工作履历2001年11月至今,清华大学电子工程系教师
2006~2007美国加州大学洛杉矶分校访问学者
讲授课程:
本科课程:微波与光波技术基础
研究生课程:低维半导体量子器件基础
学术兼职中国电子学会高级会员
研究领域微纳结构光电子器件
新型量子结构器件
宽禁带半导体器件
III-V族化合物半导体的外延生长
近期承担的主要在研课题:
国家“973”计划课题,“新型量子级联探测材料及原理器件”
国家“863”计划课题,“探测器关键技术”
国家自然科学基金面重大国际合作研究项目,“GaN基量子点材料的外延生长和物理特性研究及其器件应用”
国家自然科学基金面上项目,“面向固态量子信息器件的可控半导体量子点制备方法”
研究概况研究量子信息技术关键器件,特别是基于半导体量子点和光子晶体微腔的单光子源,研究微腔中的动力学物理问题,发展位置及发光波长可控的量子点制备技术和高精度光子晶体微纳加工技术。
研究基于低维半导体量子结构的新型光电子器件及应用技术,特别是极微弱光探测器,包括材料结构和器件结构设计、量子结构中载流子输运特性、器件制作工艺和评测技术。
研究半导体材料的分子束外延,目前重点氮化物半导体薄膜、纳米线、量子点等材料的外延生长。
奖励与荣誉2010年广东省科技进步一等奖
2003年山东省科技进步一等奖
2001年中国电子学会最佳论文奖
2005年清华大学“优秀共产党员”
2005年清华大学“研究生良师益友”
学术成果共发表学术论文100余篇,其中SCI收录期刊论文60余篇。
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