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一、基本情况
邓林峰,男
湖南大学电气与信息工程学院助理教授
手机号:13507485686
E-mail:lfdeng@hnu.edu.cn
二、学习与工作经历
学习经历
2008/01–2011/12,香港大学,工程学院电机电子工程系,博士;
2005/09–2007/06,华中科技大学,光学与电子信息学院微电子学系,硕士;
1999/09–2003/07,合肥工业大学,电子科学与应用物理学院物理系,学士。
工作经历
2014/10至今,湖南大学,电气与信息工程学院,助理教授
三、主要研究方向
电子设计自动化(EDA)技术,半导体器件与集成电路,电力电子技术
四、研究项目
1、国家自然科学基金项目,61404048、基于低频噪声的有机场效应晶体管可靠性研究、主持;
2、湖南省自然科学基金项目,2015JJ3043、基于1/f噪声的有机场效应晶体管器件可靠性研究、主持。
3、高等学校博士学科点专项基金项目,20120161120012、有机薄膜晶体管1/f噪声机理与特性研究、主持;
4、湖南大学青年教师成长计划项目,531107040551有机薄膜晶体管1/f噪声的物理及电路模型研究、主持。
5、国家自然科学基金项目,51577054、碳化硅双极结型晶体管的研究、参加;
6、湖南省自然科学基金项目,2013WK3033、便携式高精度电导测试仪的研究、参加;
7、国家自然科学基金项目,61671203、波束赋形和自适应波束调节的MIMO测试关键技术研究、参加。
五、发表论文
(1)L.F.Deng,P.T.Lai*,W.B.Chen,J.P.Xu,Y.R.Liu,H.W.Choi,andC.M.Che,EffectsofDifferentAnnealingGasesonPentaceneOTFTWithHfLaOGateDielectric,IEEEElectronDeviceLetters,2011,32,93-95
(2)L.F.Deng,Y.R.Liu,H.W.Choi,J.P.Xu,C.M.Che,P.T.Lai*,EffectsofAnnealingTemperatureandGasonPentaceneOTFTswithHfLaOasGateDielectric,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability*,2012,12,10-15.
(3)L.F.Deng,Y.R.Liu,H.W.Choi,C.M.Che,P.T.Lai*,ImprovedPerformanceofPentaceneOTFTswithHfLaOGateDielectricbyUsingFluorinationandNitridation,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability,2012,12,520-525
(4)L.F.Deng,P.T.Lai*,J.P.Xu,H.W.Choi,W.B.Chen,andC.M.Che,ImprovedPerformanceofPentaceneOTFTwithHfLaOGateDielectricbyAnnealinginNH3,ECSTransactions,2010,33,265-269
(5)邓林峰,余岳辉*,彭亚斌,周郁明,梁琳,王璐,反向开关复合管的物理模型与数值方法实现,半导体学报,2007,28(6):931-938
(6)LiuY.R.,Deng,L.F.,Yao,R.H.,Lai,P.T.*,Low-operating-voltagepolymerthin-filmtransistorsbasedonpoly(3-hexylthiophene)withhafniumoxideasthegatedielectric,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability,2010,10,233-238
(7)ChengK.H.,TangW.M.,DengL.F.,LeungC.H.,LaiP.T.*,CheC.M.,Correlationbetweencarriermobilityofpentacenethin-filmtransistorandsurfacepassivationofitsgatedielectric,JournalofAppliedPhysics,2008,104,116107-1--116107-4
(8)Y.R.Liu,P.T.Lai*,R.H.Yao,L.F.Deng,Influenceofoctadecyltrichlorosilanesurfacemodificationonelectricalpropertiesofpolymerthin-filmtransistorsstudiedbycapacitance-voltageanalysis,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability,2011,11,60-64
(9)L.F.Deng,P.T.Lai*,Q.B.Tao,H.W.Choi,W.B.Chen,C.M.Che,J.P.Xu,Y.R.Liu,ImprovedPerformanceofLow-voltagePentaceneOTFTsbyIncorporatingLatoHafniumOxideGateDielectric,2010IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC,HongKong,P.R.China,2010.11.11-11.12
(10)DengL.F.,ChoiH.W.,LaiP.T.*,LiuY.R.,XuJ.P.,Low-voltagepolymerthin-filmtransistorswithhigh-kHfTiOgatedielectricannealedinNH3orN2,2009IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC,Xi’an,P.R.China,2009.12.14-12.15.
(11)DengL.F.,TangW.M.,LeungC.H.,LaiP.T.*,XuJ.P.,CheC.M.,Pentacenethin-filmtransistorswithHfO2gatedielectricannealedinNH3orN2O,2008IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC,HongKong,P.R.China,,2008.11.20-11-21
(12)邓林峰,余岳辉*,梁琳,王璐,重频RSD的关断模型研究,中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会,西安,中国,2006.9.23-9.25.
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